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鐵電疇壁隨機存儲器為解決硅基存儲技術遇到的“存儲墻”問題提供了切實可行的方案。相較于其他二維界面,例如晶界、相界等,鐵電疇壁可被特定的電場創(chuàng)建、移動以及擦除,意味著基于鐵電疇壁的存儲器件將更加靈活可控。然而,常規(guī)鐵電疇壁作為高能界面,會出現(xiàn)非預期的漂移甚至湮滅,引發(fā)對數(shù)據(jù)存儲可靠性的擔憂,且現(xiàn)有的鐵電疇壁存儲器件傳導電流和開關比仍處于較低水平,難以滿足讀寫器件的性能要求。此外,在高密度鐵電疇壁器件中,疇壁體積占比高,這限制了存儲密度的進一步提升。
中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心研究員禹日成、副研究員沈希聯(lián)合北京科技大學教授苗君,在PbTiO3/LaAlO3體系中首次發(fā)現(xiàn)了常規(guī)180°鐵電疇壁與反相疇界(APB)互耦現(xiàn)象。研究團隊通過透射電子顯微學、第一性原理計算等多種手段,發(fā)現(xiàn)該互耦體系嚴格垂直于生長界面,橫向厚度僅為常規(guī)疇壁的1/10。APB的釘扎屬性賦予互耦體系優(yōu)異的抗干擾性能,且互耦體系可通過APB與180°常規(guī)鐵電疇壁的互耦與解耦實現(xiàn)鐵電疇極化的翻轉,利用缺陷工程等手段調(diào)控互耦體系的物性。
該互耦體系在打造高密度、低能耗、高耐久性及快速讀寫的非易失性鐵電存儲器件中具有應用前景。
相關研究成果以Interlocking Antiphase Boundary with 180° Domain Wall in PbTiO3–Antiphase Ferroelectric Boundary為題,發(fā)表在《先進材料》(Advanced Materials)上。研究工作得到國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金和中國科學院戰(zhàn)略性先導科技專項等的支持。
研究在PbTiO3/LaAlO3體系中首次發(fā)現(xiàn)常規(guī)180°鐵電疇壁與反相疇界互耦現(xiàn)象
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